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              抛光液过滤

              化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,简称CMP),又称化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing),是机械消磨和化学腐蚀的组合技术,它借助超微粒子的研磨作用和化学腐蚀作用在被研磨的介质表面形成光洁平坦表面。CMP技术是一项新型的抛光技术,主要应用在半导体制造领域。CMP过程的主要组成部分是抛光工件、抛光垫和抛光液。抛光液,一般由磨料、氧化剂及平衡溶剂如去离子水或醇组成,根据具体情况还含有一些助剂。抛光液通过溶液化学提供了化学作用,通过磨料提供了机械作用。磨料在向被抛光表面传递机械能的过程中发挥着重要的作用,要达到较好的抛光效果,就必须控制磨料的颗粒大小、硬度和分散度。磨料尺寸需<1μm,磨料尺寸过大或过小均会使被抛光表面划痕增加,降低抛光质量。过滤抛光液是一种改善抛光质量的方法,选择合适的过滤系统,可有效提高抛光液的抛光性能。


                安诺公司提供的系列过滤器/过滤系统,已成为抛光液过滤的理想选择!


              过滤目的
                去除超大颗粒、凝聚块等杂质粒子而保留合适的抛光磨料粒子


              应用要求
               ● 过滤过程中滤材的溶出物低,无介质脱落
               ● 过滤器已经过纯水冲洗,总有机碳(TOC)含量在规定范围内
               ● 终端过滤器具有很好的杂质粒子控制可靠性、持久性,当流量或压力发生变化时,污染物不会卸载
               ● 流量高、结构坚固、过滤能力强,可满足抛光液过滤的要求


              过滤器推荐

              过滤步骤

              过滤器推荐

              澄清过滤

              LEP

              预过滤

              LEPF/LEGF

              终端过滤

              LENN/LEV/LET

               

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